用于互补金属氧化物半导体输出级的静电放电保护

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专利名称	用于互补金属氧化物半导体输出级的静电放电保护
申请号	CN02142576.0	申请日期	2002-08-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-04-02	公开/公告号	CN1407621
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	皇家菲利浦电子有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	皇家菲利浦电子有限公司	当前权利人	皇家菲利浦电子有限公司
发明人	J·C·雷纳
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张志醒

摘要

本发明涉及一种设备，用于改善集成电路中的ESD保护。为了实现有效使用芯片区域，提出在焊盘和集成电路之间连接无源元件，所述无源元件设在非导电层上和焊盘下面。当结合或测试时在损坏事件中，至多只有无源元件短路，但输出驱动级和集成电路的功能不受影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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