相变随机存取存储器及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910198580.9
IPC分类号：H01L27/24;H01L45/00;H01L21/82;G11C11/56
申请日期：
2009-11-10
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	相变随机存取存储器及制造方法
申请号	CN200910198580.9	申请日期	2009-11-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-11	公开/公告号	CN102054853A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/24 包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大，或切换的固态组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	三重野文健
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

一种相变随机存取存储器及制造方法。所述相变随机存取存储器的制造方法包括：形成开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括底部电极、底部电极上的相变层、相变层上的顶部电极；以及在所述底部电极、相变层、顶部电极两侧形成侧墙，所述相变层由H2Se、GeH4、SbH3的一种或其组合形成。采用H2Se、GeH4、SbH3的一种或其组合，替代含Si/N/C的硫系化合物作为相变材料，使得形成相变层时的材料气体和含Si/N/C的掺杂气体互不相关，从而降低了掺杂过程的离子浓度控制的难度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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