用于准单晶制备的坩埚底板

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120429255.1
IPC分类号：C30B28/06;C30B35/00
申请日期：
2011-11-03
申请人：
上海申和热磁电子有限公司

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著录项信息

专利名称	用于准单晶制备的坩埚底板
申请号	CN201120429255.1	申请日期	2011-11-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/04 由液态制备〔5〕 C30B28/06 正常凝固法或温度梯度凝固法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	上海申和热磁电子有限公司	申请人地址	上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海申和热磁电子有限公司	当前权利人	上海申和热磁电子有限公司
发明人	贺贤汉;范宋杰
代理机构	上海德昭知识产权代理有限公司	代理人	缪利明

摘要

本实用新型提供了一种用于准单晶制备的坩埚底板，包括：坩埚，所述坩埚为一端开口设计；坩埚底板，所述坩埚底板设置在所述坩埚的底部；底板孔座，所述底板孔座设置在所述坩埚底板上；底板孔，所述底板孔设置在所述底板孔座上；籽晶，所述籽晶设置在所述底板孔内。本实用新型用于准单晶制备的坩埚底板与其它准单晶铸锭技术相比，具有安全性能高、稳定性好、易于控制、成本低廉、操作简单等特点；铸造的铸锭单晶覆盖率高，使得所做的硅片转换效率比正常硅片高1％。

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