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双端含双羟烃基聚硅氧烷的合成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110347434.5
  • IPC分类号:C08G77/26;C08G77/16;C08G77/06
  • 申请日期:
    2011-11-07
  • 申请人:
    邬元娟
著录项信息
专利名称双端含双羟烃基聚硅氧烷的合成方法
申请号CN201110347434.5申请日期2011-11-07
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-06-20公开/公告号CN102504260A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08G77/26IPC分类号C;0;8;G;7;7;/;2;6;;;C;0;8;G;7;7;/;1;6;;;C;0;8;G;7;7;/;0;6查看分类表>
申请人邬元娟申请人地址
山东省济南市历城区工业北路202号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人邬元娟当前权利人邬元娟
发明人邬元娟;张萌;郭栋梁;方丽萍;董崭;王峰恩
代理机构济南诚智商标专利事务所有限公司代理人韩百翠
摘要
本发明公开了一种双端含双羟烃基聚硅氧烷的合成方法。本发明中的合成方法是以不饱和环氧化合物、四甲基二硅氧烷、甲氨基乙醇和八甲基环四硅氧烷为起始原料,经硅氢加成、环氧开环和平衡聚合得到目标化合物双端含双羟烃基聚硅氧烷。由于没有不饱和羟基化合物参与硅氢加成反应,因此不需要使用六甲基二硅氮烷或三甲基氯硅烷作为羟基保护剂,从而降低了生产成本;制备过程中不存在羟基的保护和脱保护,减少了反应步骤,使合成最终产物的总反应时间也变短,从而提高了生产效率。

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