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优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810398738.6
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L21/336;H01L29/08
  • 申请日期:
    2018-04-28
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法
申请号CN201810398738.6申请日期2018-04-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-09-14公开/公告号CN108538911A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼1单元 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院当前权利人西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
发明人李聪;闫志蕊;庄奕琪;赵小龙;郭嘉敏
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华;朱红星
摘要
本发明公开了一种优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法,主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题,其包括:SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅极区(5)及导电层(7);隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧;源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面;栅极区(5)位于沟道区(4)的上侧;源区(3)采用锗半导体材料,栅极区(5)采用异质栅介质结构,且靠近源区一侧采用高K栅介质材料,靠近漏区一侧采用低K栅介质材料;漏区(6)与栅极区(5)的右边界设有间隔S。本发明能有效抑制双极效应,提高了驱动电流,可用于大规模集成电路的制作。

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