消旋卡多曲α晶型及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410624321.9
IPC分类号：C07C327/32;A61K31/265;A61P1/12
申请日期：
2014-11-07
申请人：
山东齐都药业有限公司

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著录项信息

专利名称	消旋卡多曲α晶型及其制备方法
申请号	CN201410624321.9	申请日期	2014-11-07
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-18	公开/公告号	CN104356036A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07C327/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07C 无环或碳环化合物（高分子化合物入C08；有机化合物的电解或电泳生产入C25B 3/00，C25B 7/00） C07C327/00 硫代羧酸〔5〕 C07C327/20 一硫代羧酸的酯〔5〕 C07C327/32 有酯化的硫代羧基的硫原子连接在被羧基取代的烃基的碳原子上〔5〕	IPC分类号	C;0;7;C;3;2;7;/;3;2;;;A;6;1;K;3;1;/;2;6;5;;;A;6;1;P;1;/;1;2查看分类表>
申请人	山东齐都药业有限公司	申请人地址	山东省淄博市临淄区人民东路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东齐都药业有限公司	当前权利人	山东齐都药业有限公司
发明人	张涛;李宗涛;杨学谦;刘印;张爽;任继波
代理机构	青岛发思特专利商标代理有限公司	代理人	耿霞

摘要

本发明属于药物晶型及制备技术领域，具体涉及一种消旋卡多曲α晶型及其制备方法。所述的消旋卡多曲α晶型，其X射线粉末衍射图的反射角2θ在4.2-4.3°、8.7-8.8°、13.2-13.3°、16.7-17.8°、17.7-17.8°和19.9-20.0°处显示X射线粉末衍射峰，在1135-1136cm-1、1551-1553cm-1、1644-1645cm-1、1687-1688cm-1、1731-1732cm-1和3287-3290cm-1处显示红外吸收峰。其制备方法是将消旋卡多曲溶于溶剂中，并加热至溶解，溶解后静置析晶，过滤，干燥。制得的消旋卡多曲α晶型纯度高，晶型稳定；其制备方法工艺简单、易于实施，收率为70％～80％，纯度≥99.0％。

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