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Si掺杂α-Fe2O3超晶格纳米结构的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110164389.X
IPC分类号：C30B29/16;C30B29/68;C30B7/10
申请日期：
2011-06-18
申请人：
中国科学院合肥物质科学研究院

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	Si掺杂α-Fe2O3超晶格纳米结构的制备方法
申请号	CN201110164389.X	申请日期	2011-06-18
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-01-18	公开/公告号	CN102321917A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;6;8;;;C;3;0;B;7;/;1;0查看分类表>
申请人	中国科学院合肥物质科学研究院	申请人地址	安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院合肥物质科学研究院	当前权利人	中国科学院合肥物质科学研究院
发明人	梁长浩;刘俊;张和民;田振飞
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本发明公开了一种Si掺杂α-Fe2O3超晶格纳米结构的制备方法，利用液相激光烧蚀技术得到的硅胶体溶液与FeCl3溶液混合均匀，在175-185℃下反应10-14h，即得到的Si-α-Fe2O3的超晶格纳米结构。本发明一方面拓展了液相激光烧蚀技术在材料合成方面的应用，另一方面也为深入研究掺杂对半导体材料的影响提供新的途径和物质基础。

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