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半导体纳米线的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911360925.6
IPC分类号：H01L21/324;H01L21/48
申请日期：
2019-12-25
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体纳米线的形成方法
申请号	CN201911360925.6	申请日期	2019-12-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-08	公开/公告号	CN111128723A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/324 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/324 用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）〔2，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	李艳丽;伍强;杨渝书
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹廷廷

摘要

本发明提供了一种半导体纳米线的形成方法，通过导向自主装工艺、相应的光刻和刻蚀工艺来制备出周期性排列且尺寸均匀的岛状结构，并对所述岛状结构进行退火，以使得所述岛状结构中的催化剂层能催化所述岛状结构中的半导体层形成粗细均匀，排列有序的半导体纳米线。

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