一种横向沟槽结构的同位素电池

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201520912516.3
IPC分类号：G21H1/06
申请日期：
2015-11-16
申请人：
长安大学

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著录项信息

专利名称	一种横向沟槽结构的同位素电池
申请号	CN201520912516.3	申请日期	2015-11-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21H1/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21H 从放射源取得能量；其他类目不包括的放射源辐射的应用；宇宙射线的利用（核辐射或X射线辐射的测量入G01T；聚变反应堆入G21B；核反应堆入G21C；由在结构上与灯相关联的外部微粒子辐射或放射性材料激励填充气体发光的灯入H01J 65/04，H01J 65/06） G21H1/00 从放射源取得电能的装置，例如，从放射性同位素 G21H1/06 辐射运用于不同半导体材料结的电池	IPC分类号	G;2;1;H;1;/;0;6查看分类表>
申请人	长安大学	申请人地址	陕西省西安市碑林区南二环中段33号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长安大学	当前权利人	长安大学
发明人	谷文萍;高攀;张赞;张林
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	徐文权

摘要

本实用新型公开了一种横向沟槽结构的同位素电池，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本实用新型采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，P型SiC欧姆接触掺杂区的上部设置有P型欧姆接触电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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