PIP电容及形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110961310.X
IPC分类号：H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242
申请日期：
2021-08-20
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	PIP电容及形成方法
申请号	CN202110961310.X	申请日期	2021-08-20
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-11-19	公开/公告号	CN113675337A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L49/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L49/00 不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L49/02 薄膜或厚膜器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;9;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	汤志林;王卉;付永琴;曹子贵
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	周耀君

摘要

本发明提供了一种PIP电容及形成方法，包括：提供衬底，衬底包括CELL区和PIP区；在PIP区的衬底内形成浅沟槽隔离结构；在CELL区的衬底上使用栅极结构的光罩形成多个间隔的栅极结构的同时，在浅沟槽隔离结构上使用栅极结构的光罩形成多个间隔的伪栅极结构，多个伪栅极结构之间露出浅沟槽隔离结构的表面，伪栅极结构的纵截面呈方形；在伪栅极结构上依次形成均呈正弦波形状的字线多晶硅和绝缘层；在绝缘层上形成栅极多晶硅。本发明的绝缘层为高低起伏的正弦波形状，增加了字线多晶硅和栅极多晶硅之间的相对面积，从而增加了PIP电容的电容值。并且，因为伪栅极结构是和栅极结构同时形成，不用采用额外的光罩和工艺步骤。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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