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一种NAND闪存自适应启动方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810148004.9
  • IPC分类号:G06F3/06;G06F9/445
  • 申请日期:
    2008-12-25
  • 申请人:
    四川登巅微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种NAND闪存自适应启动方法
申请号CN200810148004.9申请日期2008-12-25
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-08-05公开/公告号CN101498990
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F3/06IPC分类号G;0;6;F;3;/;0;6;;;G;0;6;F;9;/;4;4;5查看分类表>
申请人四川登巅微电子有限公司申请人地址
上海市松江区广富林路4855号大业领地90号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海斐讯数据通信技术有限公司当前权利人上海斐讯数据通信技术有限公司
发明人孙银明
代理机构成都天嘉专利事务所(普通合伙)代理人徐丰
摘要
本发明公开了一种NAND闪存自适应启动方法,将不同的行列地址组合依次发送给NAND闪存,然后检测RB的反应,当RB反应为正常的行列地址,则是NAND闪存的行列地址信息,得到所述行列地址信息后,再从NAND中读取包含信息的系统配置信息,启动系统;本发明用NAND闪存控制线RB的不同响应自动识别NAND闪存的行列地址的方法,然后搜索配置信息,从而正确的启动系统,解决了系统只能从某一种NAND启动的问题。

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