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碳化硅合成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210068556.5
  • IPC分类号:C01B31/36
  • 申请日期:
    2012-03-15
  • 申请人:
    新疆豫丰光伏材料科技有限公司
著录项信息
专利名称碳化硅合成方法
申请号CN201210068556.5申请日期2012-03-15
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-08-15公开/公告号CN102633260A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B31/36IPC分类号C;0;1;B;3;1;/;3;6查看分类表>
申请人新疆豫丰光伏材料科技有限公司申请人地址
新疆石河子开发区纬一路17号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人石河子市丰拓硅材料科技有限公司当前权利人石河子市丰拓硅材料科技有限公司
发明人赵建立;由远洪;孙福龙;白周义;牛景林;焦松强
代理机构石河子恒智专利代理事务所代理人李伯勤
摘要
本发明公开了一种碳化硅合成方法,包括装填料、通电加热、恒功率保持、自然冷却和出料工序,其特点是至少在装填料工序的装入导电用石墨粉前,在炉体加热腔一侧的炉头石墨电极上涂抹一层石墨粉浆,然后再进行装填料工序的装入导电用石墨粉。与现有技术相比,本发明能防止熔融物粘结在石墨电极表面上,下一次装料前,石墨电极表面清理非常容易,只要用刮刀轻刮就能完全去除涂抹在石墨电极表面上的石墨粉和熔融物,并且由于涂抹时使用的结合剂是水,受热即挥发掉,不影响石墨电极和炉心石墨粉之间的导电性,也不会损坏石墨电极表面,因而大大延长了石墨电极的寿命,减少了维修,提高了生产效率,降低了生产成本。

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