MEMS导电件以及导电镀层的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010642924.7
IPC分类号：B81B7/00;B81C1/00
申请日期：
2020-07-06
申请人：
瑞声声学科技（深圳）有限公司

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著录项信息

专利名称	MEMS导电件以及导电镀层的制备方法
申请号	CN202010642924.7	申请日期	2020-07-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-13	公开/公告号	CN111762751A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	瑞声声学科技（深圳）有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区高新区南区粤兴三道6号南京大学深圳产学研大楼A座变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞声声学科技（深圳）有限公司	当前权利人	瑞声声学科技（深圳）有限公司
发明人	屠兰兰;吴伟昌;黎家健;陶泽
代理机构	广州市越秀区哲力专利商标事务所（普通合伙）	代理人	王毅

摘要

本发明提供了一种MEMS导电件以及导电镀层的制备方法，MEMS导电件由若干个导电单元组成，导电单元包括定构件、可相对定构件往复运动的动构件、以及多组电连接动构件和所述定构件的导电镀层，动构件包括第一围壁和与第一围壁连接的第二围壁，定构件包括与第一围壁相对设置的第三围壁和与第三围壁连接并相对第二围壁设置的第四围壁，多组导电镀层间隔设置且自第一围壁延伸至第三围壁；该MEMS导电件通过合理设置动构件和定构件的结构，以及通过多组导电镀层电连接定构件和动构件，从而能够允许所传输信号的两端元件(定构件和动构件)相对发生自由的位移同时传输电信号。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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