一种含铬高硅钢薄带及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310212112.9
IPC分类号：C21D8/12;C22C38/34;C21C5/52
申请日期：
2013-05-31
申请人：
武汉科技大学

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专利名称	一种含铬高硅钢薄带及其制备方法
申请号	CN201310212112.9	申请日期	2013-05-31
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-04	公开/公告号	CN103276174A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C21D8/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C21 铁的冶金 C21D 改变黑色金属的物理结构；黑色或有色金属或合金热处理用的一般设备；通过脱碳、回火或其他处理使金属具有韧性（扩散法渗入处理入C23C；涉及C23大类中的至少一种工艺和本小类中的至少一种工艺的金属材料表面处理入C23F 17/00；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层入C30B） C21D7/00 通过变形改变铁或钢的物理性能（金属机械加工设备入B21、B23、B24） C21D8/12 在生产具有特殊电磁性能的产品时〔3〕	IPC分类号	C;2;1;D;8;/;1;2;;;C;2;2;C;3;8;/;3;4;;;C;2;1;C;5;/;5;2查看分类表>
申请人	武汉科技大学	申请人地址	湖北省武汉市青山区建设一路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉科技大学	当前权利人	武汉科技大学
发明人	刘静;陈文思;程朝阳;林希峰;甘章华;向志东
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张火春

摘要

本发明涉及一种含铬高硅钢薄带及其制备方法。其技术方案是：高硅钢薄带的硅含量为5.5~7.0wt%，铬含量为0.05~10.0wt%，其余为铁及不可避免的杂质。制备方法是：先按所述含铬高硅钢薄带的化学组分，以工业纯铁、商业用硅和纯铬为原料配料；再采用中频真空感应炉熔炼原料，在1250℃~1650℃条件下浇铸成铸坯，将铸坯在800℃~1250℃条件下锻造成厚度为10~20mm的板坯，然后将板坯在700℃~1250℃条件下热轧成厚度为0.6~0.8mm的薄带，最后将薄带在150℃~750℃条件下温轧至0.2~0.3mm。本发明具有成本低、工艺简单和能利用现有设备的特点，所制备的含铬高硅钢薄带的脆性改善明显，塑性提高显著，板形良好。

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