首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

一种多晶硅真空区熔线圈

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220641842.1
IPC分类号：C30B13/20
申请日期：
2012-11-28
申请人：
天津市环欧半导体材料技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种多晶硅真空区熔线圈
申请号	CN201220641842.1	申请日期	2012-11-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/20 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕 C30B13/16 熔融区的加热〔3〕 C30B13/20 感应法，例如热线式法（C30B 13/18优先）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;2;0查看分类表>
申请人	天津市环欧半导体材料技术有限公司	申请人地址	江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中环领先半导体材料有限公司,天津中环领先材料技术有限公司	当前权利人	中环领先半导体材料有限公司,天津中环领先材料技术有限公司
发明人	王遵义;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;刘铮;涂颂昊;乔柳;冯啸桐
代理机构	天津滨海科纬知识产权代理有限公司	代理人	李莉华

摘要

一种多晶硅真空区熔线圈，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，其特征在于：所述线圈为平板单匝结构，所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶，所述台阶底部一端与所述线圈骨架内圆上边沿连接成斜面，与水平面呈一倾斜角。本实用新型的有益效果是提供一种热场均匀、熔硅下行顺畅、成晶率高的多晶硅真空区熔线圈。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供