屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010986503.6
IPC分类号：H01L27/02;H01L29/423;H01L21/28
申请日期：
2020-09-18
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法
申请号	CN202010986503.6	申请日期	2020-09-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-02-02	公开/公告号	CN112310069A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	高学
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹廷廷

摘要

本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法，版图结构包括：衬底；位于所述衬底内的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽分为第一部分沟槽和第二部分沟槽，所述第二部分沟槽靠近所述第一部分沟槽两端的端部设置，并且所述第二部分沟槽沿第一部分沟槽的宽度方向向第一部分沟槽的两侧突出，所述第二部分沟槽的宽度大于所述第一部分沟槽的宽度，所述第二沟槽将相邻的第二部分沟槽连接；位于第一沟槽内的源多晶硅和第一栅多晶硅，位于第二沟槽内的第二栅多晶硅；位于第二部分沟槽的源多晶硅上的第一通孔，位于第二栅多晶硅上的第二通孔。可以不用再额外使用第一通孔和第二通孔的光罩，节省了光罩和光刻的工序。

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