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一种高可靠性非挥发存储器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310049320.1
IPC分类号：H01L45/00;G11C13/00
申请日期：
2013-02-07
申请人：
北京大学

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高可靠性非挥发存储器及其制备方法
申请号	CN201310049320.1	申请日期	2013-02-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-22	公开/公告号	CN103117359A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	黄如;余牧溪;蔡一茂
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	余长江

摘要

本发明涉及高可靠性非挥发阻变存储器及其制备方法，储器包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，下电极位于衬底上，在阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层。其制备方法采用掺杂和双层相结合的方法，可制备高可靠性高一致性阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。

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