两个不通电源系统之间的双向传输接口电路

发明专利无效专利

申请号：
CN200910047872.2
IPC分类号：H02J4/00
申请日期：
2009-03-20
申请人：
广芯电子技术（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	两个不通电源系统之间的双向传输接口电路
申请号	CN200910047872.2	申请日期	2009-03-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-22	公开/公告号	CN101841168A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02J4/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02J 供电或配电的电路装置或系统；电能存储系统（用于测量X射线、γ射线、微粒子射线或宇宙射线设备的供电电路入G01T 1/175；专用于具有不动件的电子时钟的供电电路入G04G 19/00；用于数字计算机的入G06F 1/18；用于放电管的入H01J 37/248；电能转换用电路或设备，这种电路或设备的控制装置或调整装置入H02M；数个电机的相关控制，原动机/发电机组的控制入H02P；高频电力的控制入H03L；用以传输信息的电力线路或电力网附加用途入H04B） H02J4/00 不指明为交流或直流的干线或配电网络的电路装置〔2〕	IPC分类号	H;0;2;J;4;/;0;0查看分类表>
申请人	广芯电子技术（上海）有限公司	申请人地址	上海市乐山路33号1号楼305室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广芯电子技术（上海）有限公司	当前权利人	广芯电子技术（上海）有限公司
发明人	戴忠伟;张远斌
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	胡美强

摘要

本发明涉及一种两个不通电源系统之间的双向传输接口电路，包括：连接第一电源电压的第一电阻和连接第二电源电压的第二电阻；还包括：第一NMOS管和第二NMOS管；第一NMOS管和第二NMOS管的栅极分别与第一电源电压和第二电源电压相连，第一NMOS管的源极与第一电阻的一端相连，第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极相连，第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端相连；本发明的有益效果是：利用较低的成本，使得高电平能有效传输。

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