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一种具有复合金属势垒层的氮化镓器件肖特基接触系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611217074.6
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L29/423
  • 申请日期:
    2016-12-26
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第五十五研究所
著录项信息
专利名称一种具有复合金属势垒层的氮化镓器件肖特基接触系统
申请号CN201611217074.6申请日期2016-12-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-05-17公开/公告号CN106684142A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第五十五研究所申请人地址
江苏省南京市秦淮区中山东路524号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第五十五研究所当前权利人中国电子科技集团公司第五十五研究所
发明人任春江;陈堂胜
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人吴树山
摘要
本发明涉及一种具有复合金属势垒层的氮化镓器件肖特基接触系统,该氮化镓器件的结构自下而上依次包括衬底11、GaN缓冲层12、AlGaN势垒层13;所述AlGaN势垒层13上方的一端设有源电极14和另一端设有漏电极15,还包括位于所述源电极14和漏电极15之间的AlGaN势垒层13的上方设有AlGaN/GaNHEMT栅电极16,所述AlGaN/GaNHEMT栅电极16为设有肖特基接触结构的栅电极,所述肖特基接触结构包括设有Ni金属层/Mo金属层/Ti金属层/Pt金属层/Y金属层的复合金属层。本发明的氮化镓器件肖特基栅的多层金属体系与其外延层之间有很好的热配性,能够大大提高氮化镓器件的可靠性。

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