一种有机发光超晶格薄膜及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202011299501.6
IPC分类号：H01L51/54;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2020-11-19
申请人：
南京大学

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著录项信息

专利名称	一种有机发光超晶格薄膜及其制备方法和应用
申请号	CN202011299501.6	申请日期	2020-11-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-16	公开/公告号	CN112510166A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/54 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/54 材料选择〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	南京大学	申请人地址	江苏省南京市鼓楼区汉口路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京大学	当前权利人	南京大学
发明人	王欣然;陶鎏;赵慧娟
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	吴飞

摘要

本发明公开一种有机发光超晶格薄膜及其制备方法和应用，属于有机半导体光电材料领域。该有机发光超晶格薄膜为由两种二维有机分子在衬底表面交替外延生长形成的有机发光薄膜，二维有机分子选自苝‑3,4,9,10‑四羧酸二酐、N,N'‑二甲基‑3,4,9,10‑苝四甲酰二亚胺、N,N'‑二辛基‑3,4,9,10‑苝二甲酰亚胺和3,4,9,10‑四甲酰二亚胺。其制备方法为：将第一种二维有机分子的生长源材料和衬底置于管式炉不同位置，在衬底表面外延生长第一层有机发光薄膜；将生长源材料替换为第二种二维有机分子，生长第二层有机发光薄膜；重复替换生长源材料，交替生长出多层有机发光薄膜，即得有机发光超晶格薄膜。该有机发光超晶格薄膜具有高质量、高发光强度，可用作有机发光场效应晶体管的发光层。

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