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在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的改进的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810090216.6
IPC分类号：H01L21/3205;H01L21/768
申请日期：
2008-04-01
申请人：
乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院

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著录项信息

专利名称	在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的改进的方法
申请号	CN200810090216.6	申请日期	2008-04-01
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-31	公开/公告号	CN101335206
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/3205 非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院	申请人地址	法国巴黎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司,财团法人工业技术研究院	当前权利人	乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司,财团法人工业技术研究院
发明人	那须昭宣;陈玄芳;W－J·李;陈易聪
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	林柏楠;刘金辉

摘要

本发明涉及在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的方法和装置，其中铜无电极地沉积在基底上以形成铜互连层。使用铜溶液在基底上形成铜互连层，该铜溶液含有：作为铜源的CuSO45H2O，作为络合剂的酒石酸钾钠或柠檬酸三钠，作为还原剂的乙醛酸盐/酯、乙醛酸或磷酸钠，作为稳定剂的硫有机化合物，和pH调节剂。

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