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基座、成膜装置及成膜方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010220837.9
  • IPC分类号:H01L21/205
  • 申请日期:
    2010-07-01
  • 申请人:
    株式会社东芝;纽富来科技股份有限公司
著录项信息
专利名称基座、成膜装置及成膜方法
申请号CN201010220837.9申请日期2010-07-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-01-12公开/公告号CN101944479A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人株式会社东芝;纽富来科技股份有限公司申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社东芝,纽富来科技股份有限公司当前权利人株式会社东芝,纽富来科技股份有限公司
发明人东真也;平田博信
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人徐殿军
摘要
本发明提供一种基座、成膜装置及成膜方法。根据本实施方式,基座具有:环状的第1基座部,支承硅晶片的外周部;和第2基座部,与第1基座部的外周部相接设置,并遮挡第1基座部的开口部分。第2基座部被配置成为在硅晶片被支承在第1基座部上的状态下,使第2基座部与硅晶片之间形成预定间隔H的间隙,并且被配置成为在第2基座部与第1基座部之间也形成与上述间隙相连续的、而且间隔与预定间隔实质上相同的间隙。

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