用于制造多个光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201280063569.1
IPC分类号：H01L33/36;H01L21/321
申请日期：
2012-11-12
申请人：
欧司朗光电半导体有限公司

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专利名称	用于制造多个光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
申请号	CN201280063569.1	申请日期	2012-11-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-10	公开/公告号	CN104040738A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1查看分类表>
申请人	欧司朗光电半导体有限公司	申请人地址	德国雷根斯堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	欧司朗光电半导体有限公司	当前权利人	欧司朗光电半导体有限公司
发明人	帕特里克·罗德;卢茨·赫佩尔;诺温·文马尔姆;斯特凡·伊莱克;阿尔布雷克特·基斯利希;西格弗里德·赫尔曼
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	丁永凡;张春水

摘要

本发明提出一种用于制造多个光电子半导体芯片(1)的方法，其中提供层复合结构(10)，所述层复合结构具有主平面(3)和半导体层序列(2)，所述主平面沿竖直方向对层复合结构(10)限界，所述半导体层序列具有设置为用于产生和/或检测辐射的有源区(20)，其中在层复合结构(10)中构成有多个凹部(31)，所述凹部从主平面(3)沿朝向有源区(20)的方向延伸。在主平面(3)上构成平坦化层，使得凹部至少部分地由平坦化层(6)的材料来填充。平坦化层(6)的材料至少局部地被移除以平整平坦化层。制成半导体芯片(1)，其中对于半导体芯片(1)而言至少一个半导体本体(200)从半导体层序列(2)中产生。此外本发明提出一种光电子半导体芯片。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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