非易失性超导电性调控方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201910862040.X
IPC分类号：H01L39/24;H01L39/12
申请日期：
2019-09-12
申请人：
中国科学院物理研究所

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著录项信息

专利名称	非易失性超导电性调控方法和应用
申请号	CN201910862040.X	申请日期	2019-09-12
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-03-12	公开/公告号	CN112490347A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L39/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L39/00 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；按陶瓷形成的工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00；超导或高导体、电缆或传输线入H01B 12/00；超导线圈或绕组入H01F；利用超导电性的放大器入H03F 19/00）〔2，4〕 H01L39/24 专门适用于制造或处理包含在H01L 39/00组内的器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;9;/;2;4;;;H;0;1;L;3;9;/;1;2查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	袁洁;魏鑫健;陈其宏;金魁
代理机构	北京市英智伟诚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种非易失性超导电性调控方法，通过偏置电流调控使待调控样品获得超导电性，且获得的超导电性在撤去外加偏置电压后仍然可以保持，还提供了该方法的应用。本发明通过偏置电流方法修补材料中的关键结构单元，在不需要加热的情况下使的材料获得超导电性，并且这种方法获得的超导电性在撤去外加偏置电压后仍然可以保持，具有非易失的特征。而且通过改变偏压大小和偏置时间可以连续的调控材料的超导特性。

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