多层多芯片扇出结构及制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310578899.0
IPC分类号：H01L23/525;H01L23/31
申请日期：
2013-11-18
申请人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	多层多芯片扇出结构及制作方法
申请号	CN201310578899.0	申请日期	2013-11-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-02-19	公开/公告号	CN103594451A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/525 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/525 具有可适用互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	申请人地址	江苏省徐州市徐州经济技术开发区高新路东侧与创业路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏中科智芯集成科技有限公司	当前权利人	江苏中科智芯集成科技有限公司
发明人	张文奇;王磊;于中尧;郭学平
代理机构	无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）	代理人	曹祖良

摘要

本发明提供一种多层多芯片扇出结构，包括一承载板，所述承载板上设有多个层叠的封装子体；各封装子体内均封装有至少一个管芯；在各封装子体中，管芯被介质层的介质材料所包覆，管芯采用正面向上的形式贴装在金属垫块上；在每一封装子体的介质层上均设有RDL层；管芯正面的焊盘通过第一互连孔与该管芯所在封装子体的RDL层电连接；相邻封装子体之间设有绝缘层，相邻封装子体的RDL层之间通过层间的第二互连孔电连接。底部封装子体中的金属垫块压在承载板的表面上；中间或顶部的封装子体中的金属垫块压在封装子体间的绝缘层上；在顶部封装子体的表面布设有一层阻焊层。本发明能够较为容易地实现三维多芯片堆叠。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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