铜锑硫薄膜材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711143977.9
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/06;C23C14/58
申请日期：
2017-11-17
申请人：
中南大学

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著录项信息

专利名称	铜锑硫薄膜材料的制备方法
申请号	CN201711143977.9	申请日期	2017-11-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-23	公开/公告号	CN107829071A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人	中南大学	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中南大学	当前权利人	中南大学
发明人	刘芳洋;康亮亮;陈珠;蒋良兴;狄云翔;陈建宇
代理机构	长沙智德知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，该铜锑硫薄膜材料的制备方法包括以下步骤基材表面清洁处理；在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu‑Sb‑S预制层；将表面沉积有Cu‑Sb‑S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu‑Sb‑S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料。本发明提出的铜锑硫薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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