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制造绝缘体上半导体沟道结构的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410080111.4
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/335;H01L21/84
  • 申请日期:
    2004-09-23
  • 申请人:
    英特尔公司
著录项信息
专利名称制造绝缘体上半导体沟道结构的方法
申请号CN200410080111.4申请日期2004-09-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-04-20公开/公告号CN1607642
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人英特尔公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英特尔公司当前权利人英特尔公司
发明人贝恩-叶海·吉恩;布雷恩·S·多伊;斯科特·A·黑尔兰德;马克·L·多齐;马修·V·梅斯;博扬·I·博亚诺夫;休曼·达塔;杰克·T·卡瓦列尔罗斯;罗伯特·S·周
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司代理人柳春雷
摘要
本发明公开一种方法和一种装置。该方法包括:在一种半导体器件衬底上形成过孔电介质层;在所述过孔电介质层上形成沟槽电介质层;形成贯穿所述沟槽电介质层的沟槽,以暴露所述过孔电介质层;在所述沟槽中的所述过孔电介质层中形成过孔,以暴露所述衬底;以及在所述过孔和在所述沟槽中形成半导体材料。该装置包括:器件衬底;形成在所述器件衬底的表面上的电介质层;以及在所述电介质层上形成的器件基底,所述器件基底包括从所述器件衬底衍生的晶体结构。

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