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基于接触起电的背栅场效应晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410393613.6
  • IPC分类号:H01L29/808;H01L29/423
  • 申请日期:
    2014-08-12
  • 申请人:
    北京纳米能源与系统研究所
著录项信息
专利名称基于接触起电的背栅场效应晶体管
申请号CN201410393613.6申请日期2014-08-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-06公开/公告号CN105470313A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/808
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人北京纳米能源与系统研究所申请人地址
北京市海淀区学院路30号天工大厦C座 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京纳米能源与系统研究所当前权利人北京纳米能源与系统研究所
发明人张弛;唐伟;张丽敏;王中林
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人曹玲柱
摘要
本发明提供了一种基于接触起电的背栅场效应晶体管。该背栅场效应晶体管包括:导电基底;绝缘层,形成于导电基底的正面;场效应晶体管组件,包括:沟道层、漏极、源极和栅极;以及摩擦发电组件,包括:静止摩擦层,形成于栅极的下表面;可移动摩擦层,与静止摩擦层隔开预设距离相对设置;以及第二导电层,形成于可移动摩擦层的外侧,其电性连接至源极;其中,静止摩擦层和可移动摩擦层位于摩擦电极序的不同位置,在外力的作用下,静止摩擦层和可移动摩擦层能够在分离状态和接触状态之间往复切换。本发明利用摩擦发电机产生的静电势作为背栅场效应晶体管的门极门信号,实现对半导体中载流子输运特性的调控。

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