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碳化硅半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201780069327.6
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12
  • 申请日期:
    2017-10-03
  • 申请人:
    住友电气工业株式会社
著录项信息
专利名称碳化硅半导体器件
申请号CN201780069327.6申请日期2017-10-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-06-28公开/公告号CN109952656A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2查看分类表>
申请人住友电气工业株式会社申请人地址
日本大阪府大阪市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电气工业株式会社当前权利人住友电气工业株式会社
发明人内田光亮;日吉透
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人李兰;孙志湧
摘要
有源区设置有由侧表面和底表面限定的至少一个栅沟槽。终端区包括围绕有源区的第二杂质区。侧表面具有面对第二杂质区的内端表面的第一外端表面。底表面具有第一底部部分和第二底部部分,第一底部部分与第一外端表面连续,第二底部部分与第一底部部分连续并且位于相对于所述第一底部部分位于与所述内端表面相反的一侧。碳化硅衬底具有第一区和第二区,第一区和第二区位于至少一个栅沟槽和第二主表面之间,并且彼此间隔开,漂移区被夹在其间。在平行于第一外端表面的方向上,位于第一底部部分和第二主表面之间的第一区和第二区之间的间隔小于位于第二底部部分和第二主表面之间的第一区和第二区之间的间隔。

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