用于使半导体芯片与箔分离的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310585803.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/66
申请日期：
2013-11-19
申请人：
贝思瑞士股份公司

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著录项信息

专利名称	用于使半导体芯片与箔分离的方法
申请号	CN201310585803.3	申请日期	2013-11-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-04	公开/公告号	CN103839772A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	贝思瑞士股份公司	申请人地址	瑞士，卡姆变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	贝思瑞士股份公司	当前权利人	贝思瑞士股份公司
发明人	恩斯特·巴尔梅特勒;艾尔万·罗德里格斯
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	梁晓广;关兆辉

摘要

用于使半导体芯片与箔分离的方法。本发明涉及一种用于使半导体芯片与箔分离的方法的预剥离阶段。根据第一方面，本发明涉及确定时间段，每个所述时间段限定预剥离步骤的持续时间，其中，首先所述半导体芯片的至少一个区域保持粘接到所述箔且被弯曲，随后与箔分离。在设置阶段，为每个预剥离步骤执行以下步骤：初始化所述方法步骤；重复以下两个步骤：记录所述半导体芯片的图像，并为所述图像分配自所述预剥离步骤的初始化起已经过的时间段，和检查在所述图像中所述半导体芯片的周围区域是否比预定的亮度值暗；直到所述检查得到没有半导体芯片的周围区域比预定的亮度值暗的结果。根据第二方面，本发明涉及一种实时监测半导体芯片与箔的分离的方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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