半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410085887.9
IPC分类号：C30B29/06;C30B11/14
申请日期：
2014-03-10
申请人：
三菱综合材料株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法
申请号	CN201410085887.9	申请日期	2014-03-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-17	公开/公告号	CN104047052A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;1;/;1;4查看分类表>
申请人	三菱综合材料株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱综合材料株式会社	当前权利人	三菱综合材料株式会社
发明人	中田嘉信
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	康泉;宋志强

摘要

本发明提供一种半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法，该半导体装置用硅部件为由单向凝固硅制成，同时又能发挥与由单晶硅制成的部件几乎相同的性能，且即使体积比较庞大也能够制作的半导体装置用硅部件。该半导体装置用硅部件由切下柱状晶硅锭而制成，所述柱状晶硅锭通过在坩埚底部配置由单晶硅板构成的多个籽晶，并单向凝固坩埚内的熔融硅，从而从多个籽晶中分别生长出单晶而获得。

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