光侦测器方法及光侦测器结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201610479979.4
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/103;H01L31/105
申请日期：
2016-06-27
申请人：
格罗方德半导体公司

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专利名称	光侦测器方法及光侦测器结构
申请号	CN201610479979.4	申请日期	2016-06-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-08	公开/公告号	CN106486565A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;5查看分类表>
申请人	格罗方德半导体公司	申请人地址	英属开曼群岛大开曼岛变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格罗方德半导体公司	当前权利人	格罗方德半导体公司
发明人	J·J·埃利斯莫纳格汉;J·C·S·霍尔;M·H·哈提尔;E·W·基埃瓦拉;S·M·尚克
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本发明揭示一种光侦测器方法及光侦测器结构。在该方法中，多晶或非晶的光吸收层形成在介电层上以使其接触光波导的单晶半导体核心。该光吸收层接着以一或多个应变缓解层密封且进行快速熔化生长(RMG)工序以结晶化该光吸收层。该(多个)应变缓解层是为了控制应变缓解而调变，以致在该RMG工序期间，该光吸收层保持免于破裂。接着移除该(多个)应变缓解层且在该光吸收层之上形成密封层(例如，填充该RMG工序期间发展的表面凹陷)。随后，通过该密封层植入掺质以形成用于(多个)PIN二极管的扩散区域。由于该密封层相对薄，可在该扩散区域内达到想要的掺质轮廓。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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