埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN89106240.8
IPC分类号：--
申请日期：
1989-07-25
申请人：
复旦大学

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著录项信息

专利名称	埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法
申请号	CN89106240.8	申请日期	1989-07-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1990-03-14	公开/公告号	CN1040460
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市邯郸路220号200433 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	黄宜平;汤庭鰲
代理机构	复旦大学专利事务所	代理人	陆飞

摘要

本发明属半导体集成电路工艺结构领域，是一种埋层阻挡式多孔硅氧化形成SOI结构的新工艺。主要步骤包括锑或砷扩散，在硅衬底上形成n型埋层阻挡层；P型外延；磷或砷离子注入，形成n型岛器件区；阳极化，使P型外延层转化为多孔硅；多孔硅氧化，形成SOI结构。本发明工艺简单，实施方便，获得的SOI结构平整，缺陷密度小，n型硅岛间的击穿电压大于200伏，适于制作各种类型的集成电路和半导体器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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