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改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911163109.6
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2019-11-25
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构
申请号CN201911163109.6申请日期2019-11-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-03-06公开/公告号CN110867378A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区良腾路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人李润领;李中华
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人戴广志
摘要
本发明涉及半导体器件制造技术领域,具体涉及改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构。其中,方法包括:提供一基底以及形成于所述基底上的器件;通过ALD工艺,在所述器件上沉积应力薄膜结构,所述应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜;进行退火工艺,通过退火工艺增大所述应力薄膜结构对所述器件施加的应力。结构包括:基底以及形成于基底上的器件;通过ALD工艺,形成于氧化薄膜层上的应力薄膜结构,应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜。本发明通过ALD工艺,在器件上沉积应力薄膜结构可以减少扩散进入器件栅氧层界面的H原子,能够显著提升器件的NBTI寿命。

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