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半导体器件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610143112.8
  • IPC分类号:H01L21/8234
  • 申请日期:
    2004-11-10
  • 申请人:
    株式会社瑞萨科技
著录项信息
专利名称半导体器件的制造方法
申请号CN200610143112.8申请日期2004-11-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-04-25公开/公告号CN1953159
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8234
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4查看分类表>
申请人株式会社瑞萨科技申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人辛纳普蒂克斯日本合同会社当前权利人辛纳普蒂克斯日本合同会社
发明人安冈秀记;吉住圭一;纐缬政巳
代理机构北京市金杜律师事务所代理人王茂华
摘要
针对对于具有高击穿电压场效应晶体管的半导体器件的扭结效应进行抑制或防止的目的,在高击穿电压pMIS的沟道区沿栅极宽度方向两端的每个沟槽型隔离部分与半导体衬底之间的边界区域中,在远离高击穿电压pMIS的每个具有场缓和功能的p-型半导体区的位置,设置具有与用作高击穿电压pMIS的源极和漏极的p+型半导体区相反的导电类型的n+型半导体区,从而不与p-型半导体区(特别是在漏极侧)相接触。n+型半导体区延伸到比沟槽型隔离部分更深的位置。

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