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一种制备掺钴氧化锌纳米阵列的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710065219.X
  • IPC分类号:C23C28/00;C23C20/00;C23C14/08
  • 申请日期:
    2007-04-06
  • 申请人:
    北京科技大学
著录项信息
专利名称一种制备掺钴氧化锌纳米阵列的方法
申请号CN200710065219.X申请日期2007-04-06
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2007-09-12公开/公告号CN101033547
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C28/00IPC分类号C;2;3;C;2;8;/;0;0;;;C;2;3;C;2;0;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8查看分类表>
申请人北京科技大学申请人地址
北京市海淀区学院路30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京科技大学当前权利人北京科技大学
发明人张跃;张晓梅;顾有松;黄运华
代理机构北京华谊知识产权代理有限公司代理人刘月娥
摘要
一种制备掺钴氧化锌纳米阵列的方法,属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为:首先将硅片用金刚石刀裁剪成片,放到培养皿中;取纯锌粉和氯化钴粉末以1∶1至1∶2的重量比混合;在管式炉中反应,得到硅片上沉积上一层浅灰色的产物;用扫描电子显微镜观察硅片上沉积的为纳米阵列。本发明的优点在于:制备方法简单,成本低,可控可靠性高。制备温度较低,整个制备过程不需要任何催化剂作用。优点在于,所做出的一维掺钴氧化锌纳米阵列,表面平滑,生长均匀,可作为场发射性能应用及低温磁学器件应用的理想材料。

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