一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010522203.2
IPC分类号：H01J1/14;H01J1/20;H01J9/04
申请日期：
2020-06-08
申请人：
东南大学;南京三乐集团有限公司

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专利名称	一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法
申请号	CN202010522203.2	申请日期	2020-06-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-01	公开/公告号	CN111613496A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J1/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J1/00 电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件（电子光学装置的零部件或离子阱的零部件入H01J 3/00） H01J1/02 主电极 H01J1/13 固体热阴极 H01J1/14 按材料特性区分的	IPC分类号	H;0;1;J;1;/;1;4;;;H;0;1;J;1;/;2;0;;;H;0;1;J;9;/;0;4查看分类表>
申请人	东南大学;南京三乐集团有限公司	申请人地址	江苏省南京市江宁区东南大学路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学,南京三乐集团有限公司	当前权利人	东南大学,南京三乐集团有限公司
发明人	樊鹤红;杜航;包正强;孙小菡
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	金诗琦

摘要

本发明公开了一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法，所述石墨烯覆膜钡钨阴极包括石墨烯层和B型钡钨阴极层，B型钡钨阴极层的上表面覆石墨烯层，B型钡钨阴极层置于支撑筒内，支撑筒内的B型钡钨阴极层下设置灯丝。所述制备方法包括以下步骤：(1)制备B型钡钨阴极；(2)在衬底生长石墨烯一侧覆TRT，通过溶液腐蚀去除衬底，保留石墨烯，将覆有石墨烯的TRT清洗，烘干；(3)在温控台上放置石墨烯/TRT膜，B型钡钨阴极倒置其上，控制温度达到TRT热剥离温度，再将阴极取开，石墨烯附着在阴极表面。本发明有利于降低钡钨阴极表面逸出功，估计逸出功可达1.9eV以下，相比B型阴极，可以提升发射能力，或降低工作温度以延长阴极使用寿命。

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