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芯片结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810250476.9
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/52;H01L23/528
  • 申请日期:
    2018-03-26
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称芯片结构及其形成方法
申请号CN201810250476.9申请日期2018-03-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-10-22公开/公告号CN110364477A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人卢盈
代理机构上海德禾翰通律师事务所代理人侯莉
摘要
本发明公开了一种芯片结构及其形成方法,包括晶圆;芯片,芯片形成于晶圆上;和金属材料层,金属材料层设置于芯片的周围,金属材料层中设置有凹槽。在芯片周围形成凹槽能够有效吸附残留的F元素,避免F元素扩散进入金属连接区表面生成结晶产物。

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