闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200310109458.2
IPC分类号：H01L21/8234;H01L21/8239;H01L21/285;H01L21/314;H01L21/311
申请日期：
2003-12-16
申请人：
上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

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专利名称	闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺
申请号	CN200310109458.2	申请日期	2003-12-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-11-17	公开/公告号	CN1547253
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8234 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/82 制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕 H01L21/822 衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L 21/8258优先）〔6〕 H01L21/8232 场效应工艺〔6〕 H01L21/8234 MIS工艺〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市淮海中路918号18楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司
发明人	王刘坤
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	滕怀流;陶金龙

摘要

本发明属于集成电路(IC)制造工艺技术领域，具体涉及一种用于制造闪烁存储器的控制栅堆积结构侧壁形成工艺。在部分重叠双栅闪烁存储器工艺制造中，控制栅堆积结构侧壁形成工艺步骤：进行预清洗，二氧化硅介质淀积，然后进行回刻蚀。上述工艺存在许多缺点。本发明提出了一种改进的控制栅堆积结构侧壁形成工艺，具体是在控制栅刻蚀形成后，先进行预清洗，然后淀积氧化膜和氮化硅双层介质，再进行侧壁刻蚀氮化硅，保留氧化膜。本发明提高了工艺稳定性和成品率，并使存储器的擦写周期数和数据保持寿命等器件可靠性有了很大的改善。

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