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降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610828347.4
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2016-09-18
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法
申请号CN201610828347.4申请日期2016-09-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-12-07公开/公告号CN106206358A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人姜立维;曹云;倪念慈;阚欢;魏芳;朱骏
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云
摘要
一种降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法,包括:第一步骤:执行版图载入;第二步骤:选定格点大小,根据设置的起始点移动步长,并计算两个垂直移动方向上的单方向移动次数;第三步骤:将版图切割起始点(X,Y)按照{(X‑m*s),(Y‑n*s)}进行移动,其中s为起始点移动步长,m和n为整数且初值均为所述单方向移动次数;第四步骤:执行格点几何信息提取;第五步骤:执行化学机械抛光工艺模拟预测;第六步骤:执行热点检测;第七步骤:使得n递增1,在递增1之后的n小于单方向移动次数时,重复第三步骤到第六步骤,或使得m递增1,在递增1之后的m小于单方向移动次数时,使得n递增1,当递增1后的n也小于单方向移动次数时,重复第三步骤到第六步骤。

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