具有槽沟的源体短路电极的、逆槽沟和源极接地的场效应晶体管结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200710149391.3
IPC分类号：H01L29/78;H01L27/088;H01L23/522;H01L21/8234;H01L21/768
申请日期：
2007-09-12
申请人：
万国半导体股份有限公司

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专利名称	具有槽沟的源体短路电极的、逆槽沟和源极接地的场效应晶体管结构
申请号	CN200710149391.3	申请日期	2007-09-12
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-19	公开/公告号	CN101145579
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	万国半导体股份有限公司	申请人地址	重庆市北碚区水土高新技术产业园云汉大道5号附407 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆万国半导体科技有限公司	当前权利人	重庆万国半导体科技有限公司
发明人	雷燮光;弗兰克斯·赫尔伯特;安荷·叭剌
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	王敏杰

摘要

本发明披露一种底源横向扩散式MOS(BS-LDMOS)器件。该器件的源区横向设置，跟半导体基底顶面附近的漏区相对，基底上支持的门极处于源区跟漏区之间。该BS-LDMOS器件还有一个结合的陷阱-沟道区，其在半导体基底中设置的深度完全低于体区，后者设置在接近顶面的源区附近，其中结合的陷阱-沟道区起埋置的源-体接点功能，从而将体区和源区电连接到基底的底面，起源电极的功能。将其漂移区设置在门极下面靠近顶面，跟源区有一段距离，并且延伸到包围漏区。该结合的陷阱-沟道区延伸到漂移区下面，并且该结合的陷阱-沟道区具有的掺杂剂的传导率跟漂移区的相反且补偿了漂移区，来减小源-漏电容。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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