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基于边界元法的矩形冗余填充耦合电容提取方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210000429.1
  • IPC分类号:G06F17/50
  • 申请日期:
    2012-01-02
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称基于边界元法的矩形冗余填充耦合电容提取方法
申请号CN201210000429.1申请日期2012-01-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-06-27公开/公告号CN102521471A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F17/50IPC分类号G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人董刚;王延鹏;杨银堂
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华;朱红星
摘要
本发明公开了一种基于边界元法的矩形冗余填充耦合电容提取方法,它属于微电子技术领域,主要解决现有提取工具数据输入慢和计算效率不高的问题。其实现步骤是:首先,建立三维坐标系,提取矩形冗余填充模块与互连线模块的模型参数,其次,基于该参数数据,利用间接边界元法提取每两个模块之间的三维电容并构成电容矩阵,最后,根据电容的串并联原理计算出在添加了矩形冗余填充之后互连线之间的耦合电容的具体数值,完成耦合电容的提取。本发明具有应用方便,节省计算资源,处理速度快等优点。可用于集成电路设计过程中对矩形冗余填充耦合电容的提取。

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