首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

一种沟槽电容及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510477017.0
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2015-08-06
申请人：
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种沟槽电容及其制备方法
申请号	CN201510477017.0	申请日期	2015-08-06
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106449355A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司	申请人地址	北京市海淀区成府路298号方正大厦9层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司	当前权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人	李如东;谭志辉;冶晓飞
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	吴黎

摘要

本发明涉及半导体技术领域，所述的一种沟槽电容的制备方法，通过两次刻蚀、两次沉积工艺制得，工艺简单，介电层厚度可调、精度要求低，不但能实现工业化生产，而且制备成本低。同时，所述沟槽电容不但介电层厚度小，单位面积电容值高，且其中的各组件能够与同一IC中的薄膜晶体管同层制备，能够有效简化生产工艺，降低工艺成本。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供