用化学气相沉积法由烷氧化铋制备铁电薄膜

发明专利无效专利

申请号：
CN99815966.2
IPC分类号：--
申请日期：
1999-12-06
申请人：
因芬尼昂技术股份公司;先进技术材料公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用化学气相沉积法由烷氧化铋制备铁电薄膜
申请号	CN99815966.2	申请日期	1999-12-06
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-10-13	公开/公告号	CN1537178
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司;先进技术材料公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司,先进技术材料公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司,先进技术材料公司
发明人	F·S·欣特迈尔;P·C·范布斯基尔克;J·F·雷德尔;B·C·亨德里克斯;T·H·鲍姆;D·A·德斯罗彻尔斯克里斯托斯
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	卢新华;周慧敏

摘要

化学气相沉积被用来在加热的底物上通过分解一些氧化物的前体而在该底物表面上形成氧化铋、氧化锶和氧化钽的薄膜。氧化铋的前体是一种铋的络合物，它包含至少一个烷氧基并且可在低于450℃的温度条件下分解和沉积。用低温CVD方法获得的氧化铋、锶、钽的薄膜主要是非铁电性的薄膜，但可通过后续的加热过程而转化成铁电性薄膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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