检测掩膜版的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710094367.4
IPC分类号：G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/66
申请日期：
2007-11-30
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	检测掩膜版的方法
申请号	CN200710094367.4	申请日期	2007-11-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-06-10	公开/公告号	CN101452201
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备〔3，2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	王柳
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种检测掩膜版的方法，步骤为：1，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；2，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；3，做成检测文件；4，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；5，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；6，综合第四步和第五步的结果判断待检测掩膜版的性能。本发明减少了工作量，提高工作效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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