加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种太阳能电池片的低压氧化工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710829538.7
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2017-09-14
  • 申请人:
    横店集团东磁股份有限公司
著录项信息
专利名称一种太阳能电池片的低压氧化工艺
申请号CN201710829538.7申请日期2017-09-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-02-09公开/公告号CN107681018A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人横店集团东磁股份有限公司申请人地址
浙江省金华市东阳市横店工业区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人横店集团东磁股份有限公司当前权利人横店集团东磁股份有限公司
发明人赵颖;郭望东;贾松燕;任永伟;董方
代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司代理人尉伟敏
摘要
本发明公开了一种太阳能电池片的低压氧化工艺,主要步骤包括:预处理、反应准备、氧化反应、降温退火和退舟。本发明于低压、温度低于800℃的环境下的低压氧化工艺生成的二氧化硅膜使得少数载流子的寿命得以提高,最终提高电池的短路电流和开路电压,从而改善光电转换效率,低压扩散炉与常压扩散炉相比具有压强小、气流稳定等特点,使得生成的二氧化硅膜结构更致密,更均匀,制备的二氧化硅膜具有较好的抗PID性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供