籽晶保护装置及单晶生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810358210.6
IPC分类号：C30B11/00;C30B11/14
申请日期：
2018-04-19
申请人：
中国科学院半导体研究所;中国科学院大学

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著录项信息

专利名称	籽晶保护装置及单晶生长方法
申请号	CN201810358210.6	申请日期	2018-04-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2018-09-18	公开/公告号	CN108546986A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;1;1;/;1;4查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所;中国科学院大学	申请人地址	江苏省南通市如皋市城南街道海阳南路2号电子信息产业园5号楼3楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏秦烯新材料有限公司	当前权利人	江苏秦烯新材料有限公司
发明人	白永彪;赵有文;沈桂英;董志远;刘京明;谢晖;余丁
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种籽晶保护装置及单晶生长方法。该籽晶保护装置，包括：石英舟，包含：石英舟本体，用于存放晶体原料；以及籽晶引入通道，包含：通道弧形部分，用于存放籽晶和/或作为籽晶的滑入通道，该通道弧形部分高于熔融后的晶体原料所在的水平线；以及凹槽，与通道弧形部分相连、位于籽晶引入通道的出口处；其中，在通道弧形部分放置籽晶的位置前方设置有一阻挡物，防止籽晶自行滑落；或者该籽晶引入通道还包括一水平段，该水平段与通道弧形部分的顶部相连，在该水平段中放置籽晶，使籽晶无法自发滑落；当触发籽晶的滑落条件时，籽晶能够沿着通道弧形部分滑动至凹槽中。该装置保证了籽晶使用前的有效隔离，提高了单晶形成率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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