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一种MoTe2场效应晶体管及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810579970.X
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L21/34
  • 申请日期:
    2018-06-07
  • 申请人:
    国家纳米科学中心
著录项信息
专利名称一种MoTe2场效应晶体管及其制备方法和应用
申请号CN201810579970.X申请日期2018-06-07
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2018-12-11公开/公告号CN108987483A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;4查看分类表>
申请人国家纳米科学中心申请人地址
北京市海淀区中关村北一条11号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国家纳米科学中心当前权利人国家纳米科学中心
发明人何军;阿米尔·梅尔内贾特;王振兴;王峰;詹雪莹
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司代理人王文君;陈征
摘要
本发明涉及一种离子胶体门控制的MoTe2场效应晶体管及其制备方法和应用。所述离子胶体门控制的MoTe2场效应晶体管,其特征在于,包括:一复合基底,由下层Si层和上层SiO2层复合组成;一MoTe2纳米片,位于SiO2层表面;一源极,位于MoTe2纳米片表面;一漏极,位于MoTe2纳米片表面;一栅极,位于SiO2层表面;一离子胶体层,覆盖于MoTe2纳米片、源极、漏极及栅极。本发明用机械剥离方法,获取MoTe2纳米片并转移到硅/氧化硅衬底上,通过电子束曝光、热蒸镀金电极、转移离子胶体等工艺获得离子胶体门控制的MoTe2场效应晶体管。本发明所获得MoTe2场效应晶体管为N型,其开关比高,开启电流可达微安级别。同时本发明所述方法制备工艺简单,可用于半导体器件制备相关领域。

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