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带有弱导光波导模式的电吸收调制器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200880115149.7
  • IPC分类号:G02F1/025;G02F1/017;G02B6/42
  • 申请日期:
    2008-09-10
  • 申请人:
    集成光子学中心有限公司
著录项信息
专利名称带有弱导光波导模式的电吸收调制器
申请号CN200880115149.7申请日期2008-09-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-01-05公开/公告号CN101939689A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/025IPC分类号G;0;2;F;1;/;0;2;5;;;G;0;2;F;1;/;0;1;7;;;G;0;2;B;6;/;4;2查看分类表>
申请人集成光子学中心有限公司申请人地址
深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华为技术有限公司当前权利人华为技术有限公司
发明人戴维·格雷汉姆·穆迪
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种电吸收调制器,包括在至少一个p-掺杂半导体层(6)和至少一个n-掺杂半导体层(8)之间的一个吸收层(7),这些层形成了一个脊形波导结构,吸收层的厚度在9-60nm之间,脊形的宽度在4.5-12微米之间。

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