半导体装置用接合引线

发明专利有效专利

申请号：
CN200880024022.4
IPC分类号：H01L21/60;C22C5/02;C22C5/04;C22C5/06;C22C9/00
申请日期：
2008-12-02
申请人：
新日铁高新材料株式会社;株式会社日铁微金属

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置用接合引线
申请号	CN200880024022.4	申请日期	2008-12-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-31	公开/公告号	CN101689519
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;C;2;2;C;5;/;0;2;;;C;2;2;C;5;/;0;4;;;C;2;2;C;5;/;0;6;;;C;2;2;C;9;/;0;0查看分类表>
申请人	新日铁高新材料株式会社;株式会社日铁微金属	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日铁化学材料株式会社,日铁新材料股份有限公司	当前权利人	日铁化学材料株式会社,日铁新材料股份有限公司
发明人	宇野智裕;木村圭一;山田隆
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	段承恩;刘瑞东

摘要

本发明涉及半导体装置用接合引线。本发明的目的在于提供引线的表面性状、环路的直线性、环路高度的稳定性、引线的接合形状的稳定化优良也适用于细线化、窄间距化、长跨度化、三维安装等的半导体安装技术的高性能的接合引线。作为具有包括导电性金属的芯材、和在该芯材上以与芯材不相同的面心立方晶格的金属为主要成分的表皮层的半导体装置用接合引线，特征为：所述表皮层的表面中的长度方向的晶体取向中，<111>所占的比例为50％以上。

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